南亚科技申请具有垂直通道晶体管的半导体元件专利，提高存储器单元密度
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2026-01-08 15:37:50
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有垂直通道晶体管的半导体元件及其制备方法”的专利，公开号CN121284953A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一位元线，沿一第一方向延伸；一第一字元线，沿一第二方向延伸并设置在该位元线上方；以及一第二字元线，沿该第二方向延伸并设置在该位元线上方。该半导体元件还包括与该第一字元线和该第二字元线重叠的一第一柱结构。
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来源：市场资讯
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