钠存科技申请阻变存储器及其制备方法专利，能够提高阻变存储器的耐久性以及保持性
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2026-04-08 09:52:24
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国家知识产权局信息显示，钠存科技（杭州）有限公司申请一项名为“一种阻变存储器及其制备方法”的专利，公开号CN121815955A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请公开一种阻变存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域。该阻变存储器，包括顶电极、底电极，以及设置于顶电极和底电极之间的阻变层和应变结构，阻变存储器写入时，应变结构发生形变对阻变层形成压应力，使得阻变层中的氧空位向阻变层的中心聚集；阻变存储器复位时，应变结构发生形变对阻变层形成拉应力，使得阻变层的晶格间距变大，氧空位向阻变层外周移动，使得氧离子更容易进入阻变层与氧空位结合。该阻变存储器及其制备方法，能够提高阻变存储器的耐久性以及保持性。
天眼查资料显示，钠存科技（杭州）有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本117.6471万人民币。通过天眼查大数据分析，钠存科技（杭州）有限公司专利信息6条。
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来源：市场资讯
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