兴福电子申请钨和三氧化钨等速蚀刻液专利，获得表面光滑、界面电阻低的蚀刻效果
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2026-04-08 14:31:52
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国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液”的专利，公开号CN121802420A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液，该蚀刻液包括按质量分数计的以下成分：1%‑10%的氧化剂、0.1%‑5%的多羧酸或氨羧酸类有机络合剂、0.5%‑2%的蚀刻速度调节剂、1%‑10%的酸性pH调节剂，用于将pH值控制在1‑4。其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液，能够使得钨与三氧化钨的蚀刻速率比维持在（0.8‑1.2）:1，实现近似1:1的等速蚀刻，可有效消除W表面氧化层引起的速率差异、形貌不均与氧化残留问题，获得表面光滑、界面电阻低的蚀刻效果，适用于高纵深比结构的精密加工。
天眼查资料显示，湖北兴福电子材料股份有限公司，成立于2008年，位于宜昌市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目229次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息506条，此外企业还拥有行政许可287个。
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来源：市场资讯
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