兴福电子申请钨和三氧化钨等速蚀刻液专利,获得表面光滑、界面电阻低的蚀刻效果
创始人
2026-04-08 14:31:52
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国家知识产权局信息显示,湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液”的专利,公开号CN121802420A,申请日期为2025年12月。

专利摘要显示,本发明提供一种钨和三氧化钨的等速蚀刻液,该蚀刻液包括按质量分数计的以下成分:1%‑10%的氧化剂、0.1%‑5%的多羧酸或氨羧酸类有机络合剂、0.5%‑2%的蚀刻速度调节剂、1%‑10%的酸性pH调节剂,用于将pH值控制在1‑4。其余成分为去离子水。本发明所述的蚀刻液,能够使得钨与三氧化钨的蚀刻速率比维持在(0.8‑1.2):1,实现近似1:1的等速蚀刻,可有效消除W表面氧化层引起的速率差异、形貌不均与氧化残留问题,获得表面光滑、界面电阻低的蚀刻效果,适用于高纵深比结构的精密加工。

天眼查资料显示,湖北兴福电子材料股份有限公司,成立于2008年,位于宜昌市,是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析,湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了10家企业,参与招投标项目229次,财产线索方面有商标信息4条,专利信息506条,此外企业还拥有行政许可287个。

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来源:市场资讯

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