无锡沧海云帆电子科技申请半导体结构及制备方法专利，能够减弱寄生电容
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2026-04-08 14:47:32
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国家知识产权局信息显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司申请一项名为“半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件”的专利，公开号CN121815711A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构、制备方法及互补金属氧化物半导体器件，半导体结构包括：自下而上层叠设置的第一衬底、第一介质层、器件层和第二介质层，第一介质层覆盖栅极接触层，器件层包括多个浅沟槽隔离结构和位于浅沟槽隔离结构之间的有源区，有源区形成有源极接触层和漏极接触层；栅极接触层和源极接触层从第一介质层引出与金属互连层连接，漏极接触层从第二介质层引出与金属互连层连接；或者，栅极接触层和漏极接触层从第一介质层引出与金属互连层连接，源极接触层从第二介质层引出与金属互连层连接。本发明通过引入背面工程，使栅极与源极（或漏极）之间以及源极与漏极之间难以构成平板电容器，能够减弱寄生电容。
天眼查资料显示，无锡沧海云帆电子科技有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡沧海云帆电子科技有限公司专利信息16条，此外企业还拥有行政许可4个。
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