斯纳普公司申请发光二极管阵列制造方法专利，实现不同截面面积孔的阵列结构
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2026-04-10 20:30:26
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国家知识产权局信息显示，斯纳普公司申请一项名为“发光二极管阵列”的专利，公开号CN121843314A，申请日期为2020年7月。
专利摘要显示，一种制造发光二极管（LED）阵列的方法，包括：形成三族氮化物材料的半导体层（100）；在半导体层上形成介电掩模层（104），该介电掩模层具有穿过其的孔（106）的阵列，每个孔使半导体层的一区域暴露；以及在每个孔中生长LED结构（108）。孔的阵列包括均具有第一截面面积的第一组孔（106a）和均具有不同于第一截面面积的第二截面面积的第二组孔（106b）。
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