昱芯微电子取得调节沟槽栅MOSFET内置Rg结构专利，精准控制接触孔电阻值
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2026-04-11 14:04:01
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国家知识产权局信息显示，杭州昱芯微电子有限公司取得一项名为“一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构”的专利，授权公告号CN224111566U，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体芯片技术领域，具体为一种调节沟槽栅MOSFET的内置Rg的结构，包括沿竖直方向从下到上至少连续设置并与芯片本体为一体的硅底衬、外延层以及绝缘层，外延层和绝缘层之间设置有与芯片本体上栅极连通的若干多晶导出道，且若干多晶导出道之间通过多晶连接道连通，绝缘层上贯穿设置有若干与多晶连接道连通的接触孔，绝缘层上设置有金属块；本实用新型通过控制多晶连接道上多晶与绝缘层外金属连接的接触面积来控制二者的电阻值，具体的是，通过控制接触孔的数量以及尺寸（控制凸起的数量以及尺寸）来控制二者之间的的电阻值，进而精准控制接触孔电阻（Rc‑chain）的值。
天眼查资料显示，杭州昱芯微电子有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州昱芯微电子有限公司共对外投资了1家企业，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可3个。
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来源：市场资讯
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