广州增芯科技申请SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法专利，有效提高电阻器件测试的准确性_电子应用

广州增芯科技申请SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法专利，有效提高电阻器件测试的准确性

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2026-04-13 14:44:42

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国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法”的专利，公开号CN121843507A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本发明提供了一种SOI晶体管结构及其制备方法、测试方法，该结构包括在从下至上依次形成有底硅层、埋氧层以及顶硅层的SOI衬底上形成的SOI晶体管以及若干电阻器件，其中，若干电阻器件分别位于SOI晶体管的两侧；SOI晶体管与电阻器件之间以及相邻电阻器件之间均分别设置第一隔离结构，第一隔离结构贯穿顶硅层与埋氧层顶部接触。通过设置第一隔离结构，使得SOI晶体管正常工作下产生的热量可以通过第一隔离结构有效传导至电阻区域，同时第一隔离结构有效地隔离了SOI晶体管寄生漏电流以及相邻电阻器件分流对电阻器件测试的影响，从而有效提高了电阻器件测试的准确性，进而提高SOI晶体管自加热效应下周围不同位置温度测试的准确性。

天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目48次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息241条，此外企业还拥有行政许可180个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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