长鑫科技申请半导体结构及其制备方法专利,提高半导体结构的电性和良率
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2026-05-06 17:14:32
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国家知识产权局信息显示,长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构和半导体结构的制备方法”的专利,公开号CN121985813A,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,一种半导体结构和半导体结构的制备方法,该半导体结构包括基底,基底中具有导电块,介电层,介电层位于基底上,覆盖基底,导电插塞,导电插塞贯穿介电层与导电块连接,其中,导电插塞包括第一部分、第二部分和第三部分,第一部分、第二部分和第三部分在垂直于基底的方向依次堆叠,第一部分的截面尺寸分别大于第二部分和第三部分的截面尺寸,所述第二部分的侧壁斜率与所述第三部分的侧壁斜率不同,第二部分的高度和第三部分的高度的比值为1:2.5至1:4。可以精准控制导电插塞底部的形貌,使导电插塞与导电块有效连接,防止导电插塞形成短路,提高半导体结构的电性和良率,增大制备工艺窗口,降低制备工艺难度。

天眼查资料显示,长鑫科技集团股份有限公司,成立于2016年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析,长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业,参与招投标项目1079次,财产线索方面有商标信息276条,专利信息647条,此外企业还拥有行政许可39个。

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来源:市场资讯

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