英特尔申请在数字存储器内计算加速器中实现N：M稀疏性专利，支持灵活的N：M稀疏性模式
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2026-05-16 23:18:51
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国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“在数字存储器内计算加速器中实现N：M稀疏性”的专利，公开号CN122047327A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，为了在DCiM宏中支持灵活的N：M稀疏性模式，根据分区因子P，DCiM宏被细分为多个子宏。每个子宏能够支持1：2稀疏性比率。充分利用分区设计，子宏能够被分组在一起，以支持不同的N：M稀疏性模式。为了针对神经网络的每个层确定最佳的N：M稀疏性模式，算法能够基于层中的外点的数量，确定稀疏性比率A/B中的值A，并且基于表示外点的稀疏性分布的外点的局部性测量，确定稀疏性比率A/B中的值B。此外，与确定的稀疏性比率A/B对齐的最佳的N：M稀疏性模式能够基于优先考虑延迟或准确性还是平衡延迟和准确性两者来选择。
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