桑迪士克申请具有侧向集成接入晶体管的三维存储器器件专利，实现单位单元的三维阵列集成
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2026-05-19 19:57:55
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国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有侧向集成接入晶体管的三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN122070581A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，一种器件包括单位单元的三维阵列。单位单元中的每个单位单元包括：接入场效应晶体管，该接入场效应晶体管包括第一水平延伸的半导体沟道、漏极区、第一栅极电介质和第一栅极电极；和存储器场效应晶体管，该存储器场效应晶体管包括第二水平延伸的半导体沟道、源极区、第二栅极电介质和第二栅极电极。第二栅极电介质包括具有至少两个可编程状态的存储器电介质材料。在一个实施方案中，掺杂半导体材料部分位于第一水平延伸的半导体沟道和第二水平延伸的半导体沟道之间。
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来源：市场资讯
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