半导体设备景气上行,半导体设备ETF易方达涨3.53%
创始人
2026-05-26 02:32:14
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截至5月25日11点15分,上证指数涨0.72%,深证成指涨1.02%,创业板指涨1.17%。培育钻石、机场航运、国家大基金持股等板块涨幅居前。

ETF方面,半导体设备ETF易方达(159558)涨3.53%,成分股三佳科技(600520.SH)涨停,盛美上海(688082.SH)拓荆科技(688072.SH)艾森股份(688720.SH)涨超10%,矽电股份(301629.SZ)联动科技(301369.SZ)雅克科技(002409.SZ)晶瑞电材(300655.SZ)南大光电(300346.SZ)中科飞测(688361.SH)涨超5%。

消息面上,半导体设备正迎来高度确定的景气上行期。根据SEMI数据,2025年全球半导体制造设备销售额已达1351亿美元,连续三年创历史新高,且2026年与2027年的预期被进一步上调。国内方面,2026年一季度半导体设备板块整体营收同比增长25.78%,归母净利润同比增长60.42%,利润增速是收入增速的两倍以上,规模效应开始显现,行业景气度得到业绩端的坚实验证。

广发证券表示,mSAP工艺对激光钻孔、电镀、曝光、检测等各环节设备精度要求大幅提升。根据深圳赛姆烯金公司公众号,设备环节的精密化水平直接决定mSAP工艺的可行性,因此各设备均需达到微米级精度标准。(1)激光钻孔设备:mSAP激光钻孔数量增加,激光钻孔设备需实现60-80μm的微孔加工和±3μm的孔位精度;(2)脉冲电镀设备:需控制铜厚均匀性在±5%以内,保证线路分布均匀、无凹陷;(3)激光直接成像LDI设备:需实现±0.5μm的成像精度和±1.5μm的对位精度,确保细线路图形的精准呈现;(4)AOI/3DAOI检测设备:需精准识别15μm线宽的缺陷,为工艺良率提供保障;(5)刻蚀设备:闪蚀工序需严格控制微蚀量在0.1-0.3μm,同时需通过实时TDR校准确保阻抗公差控制在±3%-5%,单端50Ω、差分100Ω的阻抗标准,每一步制程偏差都可能导致信号失效。

兴业证券表示,5月19日,国产存储芯片龙头长江存储控股股份有限公司(下称“长存集团”)正式启动IPO辅导。长存集团成立于2016年,总部位于湖北武汉,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM企业。其全资子公司长江存储在胡润研究院2025全球独角兽榜中位列中国十大独角兽第9、全球第21,估值1600亿元。

半导体设备ETF易方达(159558)根据申万三级行业分类,该ETF跟踪的中证半导体材料设备主题指数中半导体设备占比为63%,且在跟踪同指数产品中具备明显超额收益优势。

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