国家知识产权局信息显示,昆山道铭晨伊半导体有限公司取得一项名为“一种塑封一体式大功率二极管”的专利,授权公告号CN224306328U,申请日期为2025年5月。
专利摘要显示,本实用新型属于二极管封装技术领域,具体涉及一种塑封一体式大功率二极管。其包括底板、塑封体、芯片组及端子件,底板两侧形成有第一凹槽;塑封体设置于底板上,塑封体两侧沿第一凹槽向下延伸至与底板底面齐平;芯片组设置于塑封体与底板之间,芯片组底面与底板接触,芯片组其余面与塑封体接触;端子件第一端与芯片组顶面连接,第二端贯穿塑封体延伸至塑封体外部。本实用新型用于解决大功率二极管封装导热效果不好的问题。将芯片组包覆在塑封体内,芯片组直接与底板和塑封体接触,利用塑封体和底板散热,散热路径缩短,提高散热效果,塑封体能够承受更高的温度,提高散热效果,且塑封体与底板一次成型缩短了生产流程,提高了生产效率。
天眼查资料显示,昆山道铭晨伊半导体有限公司,成立于2009年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析,昆山道铭晨伊半导体有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息41条,此外企业还拥有行政许可3个。
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