来源：新浪证券-红岸工作室

6月23日消息，国家知识产权局信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“沟槽型MOS器件的制造方法”的专利，授权公告号CN116013784B，授权公告日为2026年6月19日。申请公布号为CN116013784A，申请号为CN202310203308.5，申请公布日期为2026年6月19日，申请日期为2023年2月28日，发明人张根，专利代理机构上海思微知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师周耀君，分类号H10D30/01、H10D64/01、H10D64/27。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型MOS器件的制造方法，通过对多晶硅材料层执行氧化工艺，以在所述多晶硅材料层的表面形成氧化硅层；去除所述氧化硅层，以打开所述空洞；以及，清洗所述多晶硅材料层，能够有效地去除所述多晶硅材料层表面的残留物，从而刻蚀所述多晶硅材料层时，能够形成形貌佳的沟槽型栅极，由此可以避免/降低沟槽型MOS器件容易发生电性测试异常的问题，提高了产品良率。

芯联集成于2018年3月9日成立，于2023年5月10日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为浙江省绍兴市。该公司是国内MEMS和功率器件领域的晶圆代工及模组封测企业，具备提供一站式系统代工解决方案的能力。

芯联集成主营业务为MEMS和功率器件等领域的晶圆代工及模组封测业务，为客户提供一站式系统代工解决方案，所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涉及碳化硅、IGBT概念、光伏玻璃等概念板块。

2025年，芯联集成营业收入81.8亿元，行业排名5/7，远低于第一名中芯国际的673.23亿元和第二名华虹宏力的172.91亿元，也低于行业平均数166.12亿元及中位数108.85亿元。其主营业务构成中，集成电路晶圆制造代工59.83亿元，占比73.15%；模组封装15.08亿元，占比18.43%。净利润方面，2025年为 - 19.33亿元，行业排名7/7，与第一名中芯国际的72.09亿元和第二名赛微电子的13.88亿元差距明显，低于行业平均数9.67亿元及中位数4.66亿元。

芯联集成电路制造股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202610613072.62026-05-07CN122161437A2026-06-05于贝贝、张俊龙、王琛2半导体集成器件的制备方法及半导体集成器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610603325.12026-05-06CN122138453A2026-06-02黄艳、赵晓燕3深沟槽电容器的制备方法及深沟槽电容器发明专利公布CN202610370329.X2026-03-25CN122180083A2026-06-09林笛、赵晓燕、张子文4电容麦克风、半导体结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610365274.32026-03-24CN122054060A2026-05-15傅思宇、姚阳文5半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610340887.12026-03-19CN122227653A2026-06-16赵冰、赵晓燕、黄艳6LDMOS器件及其制作方法发明专利公布CN202610340345.42026-03-19CN122227629A2026-06-16李宏伟7霍尔器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610321598.72026-03-17CN121888864A2026-04-17黄艳、赵晓燕8套刻精度监控结构、监控方法、半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610325340.42026-03-17CN121978872A2026-05-05李忠仁、赵晓燕、何福秀9MEMS结构及其制备方法和测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610263262.X2026-03-05CN122102048A2026-05-29王红海10一种霍尔元件发明专利实质审查的生效、公布CN202610252635.32026-03-03CN122121538A2026-05-29李宏伟11DUP器件的焊盘结构及其打线方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610252633.42026-03-03CN122121712A2026-05-29李宏伟12MEMS微镜及其制作方法发明专利公布CN202610242335.72026-02-28CN122218940A2026-06-16毕丽丽、罗传鹏13半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610235585.82026-02-27CN122121255A2026-05-29黄艳、赵晓燕、石磊14垂直腔面发射激光器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610206631.12026-02-12CN122068361A2026-05-19靳闪闪、何琼15一种半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610201260.82026-02-11CN122054671A2026-05-15黄艳、赵晓燕16滤波器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610191106.72026-02-10CN122119555A2026-05-29穆苑龙、王鹏、姚阳文、徐泽洋17MEMS器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610173899.X2026-02-06CN121974292A2026-05-05胡永宝、姚阳文、徐泽洋18MEMS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610161355.12026-02-04CN122054059A2026-05-15王鹏19高压电容隔离器及其制造方法发明专利授权CN202610156455.52026-02-04CN121645907B2026-05-26徐涛、王旭、刘晓雪20半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610144599.92026-02-02CN122054611A2026-05-15张子文、赵晓燕、林笛21深沟槽隔离结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075516.52026-01-20CN121888936A2026-04-17张涛、王旭22用于半导体器件测试的测试焊盘结构及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610075821.42026-01-20CN122028704A2026-05-12李忠仁、赵晓燕、何启庆23负性光刻胶去边方法发明专利公布CN202512047655.52025-12-31CN121657384A2026-03-13张孟龙、徐万里、吴健、张弓玉帛、钭诗恩24封装件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202512031182.X2025-12-30CN121772812A2026-03-31徐达武、龚俊能25一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511994715.82025-12-26CN121728807A2026-03-24叶强飞、黎哲、何云、罗顶26电熔丝的制备方法、电熔丝及半导体集成结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511994584.32025-12-26CN121772735A2026-03-31黄艳、赵晓燕、钟鹏27一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511980858.32025-12-25CN121712052A2026-03-20叶强飞、黎哲、何云、罗顶28输出芯片及光控继电器发明专利实质审查的生效、公布CN202511953919.72025-12-23CN121814072A2026-04-07李宝杰、任文珍、丛茂杰29一种电容式麦克风、半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511882683.22025-12-15CN121310023B2026-04-14傅思宇、陆晓龙、徐泽洋、姚阳文30一种半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511868002.72025-12-11CN121645906A2026-03-10秦永山、王旭31晶圆异常原因分析方法、电子设备和可读存储介质发明专利公布CN202511867408.32025-12-11CN121682332A2026-03-17王颖、康栋、李鹏、孙海丽32一种MEMS加速度计及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511852166.02025-12-10CN121276091A2026-01-06马玉莎、张兆林、王红海33屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法发明专利公布CN202511837217.22025-12-08CN121645929A2026-03-10刘书晓、周圣杰34高压半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202511834633.72025-12-08CN121310568B2026-03-24谢仕源、吴荣成、白鑫、耿爽35麦克风及其制造方法发明专利授权CN202511824007.X2025-12-05CN121262521B2026-03-31唐丽文36产品检测方法、装置、存储介质和电子设备发明专利授权CN202511823575.82025-12-05CN121276286B2026-05-01孙海丽、康栋、王颖、李鹏37RC-IGBT及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511808670.02025-12-03CN121310558A2026-01-09唐伟闻、余龙38纳米探针的修复方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511810106.22025-12-03CN121522223A2026-02-13李帅39用于CESL特性测试的测试版图及测试结构发明专利公布CN202511764655.02025-11-27CN121568558A2026-02-24吴桥伟40基片背面缺陷标记方法及标记设备发明专利实质审查的生效、公布CN202511753460.62025-11-26CN121616539A2026-03-06张良敏、许大建41虚拟量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202511742208.52025-11-25CN121598081A2026-03-03康栋、孙海丽、王颖、李鹏42半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511682862.12025-11-17CN121548044A2026-02-17孔孟书、孙金山、顾学强、陈为立、徐剑43提高键合晶圆机械强度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511671695.02025-11-14CN121493865A2026-02-10陆晓龙、王红海、姚阳文44薄膜沉积方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511664756.02025-11-13CN121428522A2026-01-30李官勐、左中伟、李乾伟、王志军、王颖超45半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511665207.52025-11-13CN121815687A2026-04-07裴博、吴荣成、周旭、杨晓寅、陈连旭46一种半导体器件及其制备方法和电子装置发明专利实质审查的生效、公布CN202511655487.12025-11-12CN121398101A2026-01-23张俊龙、黎震宇、王琛、刘国安47半导体器件及其制造方法发明专利公布CN202511647250.92025-11-11CN121536877A2026-02-17王宇、陆晓龙、姚阳文48IGBT结构及其制备方法、半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202511628929.32025-11-07CN121510604A2026-02-10张玉琦、戴银、任文珍、丛茂杰49掩膜版组、芯片标识的形成方法及晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202511613526.12025-11-06CN121232519A2025-12-30张弓玉帛、金港杰、周旺、陈浩冬50一种绝缘体上硅衬底及其制备方法发明专利授权CN202511606930.62025-11-05CN121078798B2026-03-24魏翔、王琛