苏州长光华芯申请半导体发光结构及其制备方法专利，提升半导体发光结构性能_电子应用

苏州长光华芯申请半导体发光结构及其制备方法专利，提升半导体发光结构性能

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2025-05-15 10:52:11

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金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“一种半导体发光结构及其制备方法”的专利，公开号CN119965677A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法。半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制层；绝缘外延层，位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧且位于下波导层、有源层、上波导层和上限制层在慢轴方向的两侧；第一隔离槽和第二隔离槽，第一隔离槽和第二隔离槽均沿慢轴方向自上限制层在慢轴方向一侧的绝缘外延层中穿过上限制层并延伸至上限制层在慢轴方向另一侧的绝缘外延层中，第一隔离槽位于第二隔离槽背离后腔面的一侧。

天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息269条，此外企业还拥有行政许可15个。

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，成立于2018年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目23次，专利信息203条，此外企业还拥有行政许可37个。

来源：金融界

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