通富超威取得多芯片模块封装结构专利避免多芯片模块在高温焊接时熔融状态的散热金属层之间的互相拉扯_电子应用

通富超威取得多芯片模块封装结构专利避免多芯片模块在高温焊接时熔融状态的散热金属层之间的互相拉扯

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2025-05-29 19:07:20

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金融界2025年5月29日消息，国家知识产权局信息显示，苏州通富超威半导体有限公司取得一项名为“一种多芯片模块封装结构”的专利，授权公告号CN222914790U，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种多芯片模块封装结构，包括基板、多个芯片、散热金属层、散热盖和镀金层，多个芯片设置于基板；散热金属层设置于芯片背离基板的一侧；散热盖盖设于散热金属层背离基板的一侧，散热金属层在与其对应的芯片上的正投影落在芯片的外侧；镀金层夹设于散热盖与散热金属层之间；其中，散热盖朝向基板的一侧且对应各芯片位置处设置有容纳腔，容纳腔用于将高温熔融的散热金属层依张力维持于各芯片处。该多芯片模块封装结构，可以避免多芯片模块在高温焊接时熔融状态的散热金属层之间的互相拉扯，增加散热金属层的覆盖率，满足封装结构的散热需求。

天眼查资料显示，苏州通富超威半导体有限公司，成立于2004年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13338万美元。通过天眼查大数据分析，苏州通富超威半导体有限公司参与招投标项目21次，专利信息260条，此外企业还拥有行政许可32个。

来源：金融界

富超高温焊接散热熔融芯片模块金属层专利苏州基板结构

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