华灿光电申请发光二极管及其制备方法专利，属于光电子制造技术领域
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2025-05-30 14:04:29
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司申请一项名为“发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120076511A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。发光二极管包括：依次层叠的缓冲层、填平层、第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层；所述电子阻挡层包括第一电子阻挡子层和第二电子阻挡子层，所述第二半导体层包括低温半导体子层和高温半导体子层，所述第一电子阻挡子层、所述低温半导体子层、所述第二电子阻挡子层和所述高温半导体子层依次层叠在所述发光层上；所述第一电子阻挡子层为AlN/GaN/AlGaN叠层，所述低温半导体子层为GaN/AlGaN/InGaN叠层，所述第二电子阻挡子层为AlGaN层。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（苏州）有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（苏州）有限公司参与招投标项目87次，专利信息555条，此外企业还拥有行政许可43个。
来源：金融界
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