光迅科技获得发明专利授权：“一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法”_电子应用

光迅科技获得发明专利授权：“一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法”

创始人

2025-05-31 03:03:36

0次

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示光迅科技（002281）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法”，专利申请号为CN202211460138.0，授权日为2025年5月30日。

专利摘要：本发明公开了一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法，属于光电子器件领域。全硅光电探测器包括补偿掺杂的吸收区、收集电流的P++和N++重掺杂区。一方面，通过P型和N型混合的补偿掺杂的方式，在硅波导内部引入了超过传统的单次掺杂的缺陷密度，同时形成具有本征半导体性质的吸收区，避免对光探测无贡献的自由载流子吸收。另一方面，通过狭缝波导提高了界面处的缺陷密度以及增强了缺陷与光之间的相互作用。从而，全硅光电探测器可以利用在硅波导中引入的缺陷以及增强光与缺陷的相互作用来实现光通信波段(1.3‑1.6μm)的光探测。此外，本发明的制备过程完全兼容CMOS工艺，无需引入其他材料，具备低成本和高集成度的优势。

今年以来光迅科技新获得专利授权25个，较去年同期减少了34.21%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了7.13亿元，同比增27.41%。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

方法数据缺陷相互作用光迅科技公司补偿密度探测器专利吸收区硅波导天眼查

上一篇：敏芯股份获得发明专利授权：“六轴力传感器及其制造方法”

下一篇：弘景光电股价下跌8.75% 涉及智能汽车光学镜头业务

光迅科技获得发明专利授权：“一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法”

相关内容

热门资讯