长鑫科技申请半导体结构及其形成方法、存储器专利，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器_电子应用

长鑫科技申请半导体结构及其形成方法、存储器专利，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器

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2025-05-31 19:02:54

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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器”的专利，公开号CN120076314A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，半导体结构包括有源层、第一栅介质层、第一字线结构、第二栅介质层、第二字线结构、位线结构、公共电极、介电层以及导电接触层，有源层包括至少部分不同线的第一沟道区、第二沟道区、源极区、第一漏极区以及第二漏极区，第一栅介质层至少覆盖第一沟道区的部分表面；第一字线结构覆盖第一栅介质层且沿第一方向延伸；第二栅介质层至少覆盖第二沟道区的部分表面；第二字线结构覆盖第二栅介质层且沿第一方向延伸；位线结构与源极区电连接；在第二方向上，公共电极位于第一沟道区和第二沟道区之间；介电层至少包覆公共电极的外周；导电接触层覆盖介电层的表面，且与第二漏极区电连接。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息374条，此外企业还拥有行政许可33个。

来源：金融界

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