华为申请半导体结构及其制作等相关专利 减小晶体管关闭状态下的漏电
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2025-06-02 19:34:59
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备”的专利，公开号CN120076369A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制作方法、半导体器件及电子设备，旨在解决离化正反馈晶体管漏电电流大的技术问题。该半导体结构，重掺杂漏极结构、本征区、源极结构以及沟道结构均设置在衬底上，沟道结构位于本征区和源极结构之间，本征区与重掺杂漏极结构和沟道结构均接触，栅极结构设置在沟道结构背离衬底的一侧，栅极结构与沟道结构接触，至少部分本征区位于栅极结构的外部。晶体管的漏极为重掺杂漏极结构，重掺杂漏极结构中掺杂的离子浓度较高，可以增大少子隧穿势垒，进而减小晶体管处于关闭状态下的漏电，提高了半导体结构的性能。
来源：金融界
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