智芯微电子申请电阻单元等相关专利 消除多晶硅电阻在电路中引起的非线性误差
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2025-06-03 10:04:53
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司申请一项名为“电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法”的专利，公开号CN120074522A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明实施例提供一种电阻单元、放大器、数据采集系统及数据处理方法，属于芯片技术领域。所述电阻单元包括：至少两个具有相同阻值的P型多晶硅电阻和至少两个具有相同阻值的N型多晶硅电阻，所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的数量相等，且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻串联以形成关于中间节点相对称的电阻单元，并且所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的阻值能被调整以通过两者之间的场效应互补作用来消除因多晶硅电阻引起的非线性误差。本发明实施例利用多晶硅电阻本身的物理性质，消除多晶硅电阻在电路中引起的非线性误差，可靠性好、通用性广泛。
来源：金融界
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