合肥晶合集成申请接触孔形成方法及图像传感器专利 有利维持电性稳定
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2025-06-03 11:33:32
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“接触孔形成方法及图像传感器”的专利，公开号CN120076439A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明公开了一种接触孔形成方法及图像传感器，方法为：在图像传感器的逻辑区和像素区的器件结构上，形成接触孔刻蚀停止层；在接触孔刻蚀停止层上填充增厚的层间介电层，增加的厚度等于保护层厚度；并在层间介质层上形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；以第一硬掩膜层为掩膜在逻辑区刻蚀接触孔，像素区在第二硬掩膜层的保护下仅在其上形成掩膜图案；形成保护逻辑区接触孔的牺牲层；进行像素区的接触孔刻蚀，直到保护层之上；继续向下刻蚀像素区接触孔下方的保护层，同时刻蚀相同厚度的层间介电层；去除逻辑区的牺牲层并对所有接触孔进行填充。
来源：金融界
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