广能达半导体申请一种用于半导体制程的同轴电缆损伤检测装置及检测方法专利，使得对同轴电缆运行状态的监测成为可能_电子应用

广能达半导体申请一种用于半导体制程的同轴电缆损伤检测装置及检测方法专利，使得对同轴电缆运行状态的监测成为可能

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2025-06-04 19:06:47

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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于半导体制程的同轴电缆损伤检测装置及检测方法”的专利，公开号 CN120085106A，申请日期为 2025 年 02 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于半导体制程的同轴电缆损伤检测装置及检测方法，在同轴电缆与电源连接处设置第一检测设备，在同轴电缆与匹配器连接处设置第二检测设备，测量数据传输给控制系统进行计算和判断，当耗散功率测量值超过预设的耗散功率设定值时，立即触发警报，通知操作人员处理，使得对同轴电缆运行状态的监测成为可能，解决了同轴电缆缺乏有效监控手段的缺陷；本发明引入使用工况恒定下的同轴电缆的耗散功率设定值公式，实现在稳定工况下，系统能精准设定符合电缆实际特性的耗散功率设定值，并且引入使用工况变化下修正系数，控制系统可以根据环境温度、湿度和工作频率的变化动态调整耗散功率设定值，补偿因工况变化对电缆功率损耗的影响。

天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可4个。

来源：金融界

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