盈鑫半导体申请一种碳化硅衬底的抛光专利，控制调整碳化硅衬底的加工时长
创始人
2025-06-04 22:04:26
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，东莞市盈鑫半导体材料有限公司申请一项名为“一种碳化硅衬底的抛光方法、装置、设备及存储介质”的专利，公开号CN120080256A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体材料制备技术领域，更具体地说，它涉及一种碳化硅衬底的抛光方法、装置、设备及存储介质，通过获取化学机械抛光操作数据，并依据事先构建的材料去除率模型，根据所述化学机械抛光操作数据对碳化硅衬底的材料去除率进行测算，设定预设时间，在预设时间内预测出碳化硅衬底抛光的厚度，并通过检测模块对碳化硅衬底进行厚度检测，将检测的厚度检测数据与预测的厚度数据进行比对实现化学机械抛光操作的动态调整策略，通过动态调整策略直至碳化硅衬底抛光厚度完成目标值。
天眼查资料显示，东莞市盈鑫半导体材料有限公司，成立于2021年，位于东莞市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本555.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市盈鑫半导体材料有限公司参与招投标项目5次，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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