华虹宏力申请半导体存储装置制备方法专利，减少制程工艺步骤
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2025-06-05 09:07:22
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金融界2025年6月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种半导体存储装置的制备方法”的专利，公开号CN120091563A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储装置的制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过不设置光阻层和光罩，以对整个基底进行第一次离子注入的方式，以达到缩减形成第一阱区和第二阱区的光罩、光刻等相关工艺的目的，而后再通过后续注入的离子进行的反型离子的中和，达到对应形成导电类型相反的第三阱区和第四阱区，进而达到减少制程工艺的步骤，降低嵌入式闪存芯片的制造成本，以及提高产品竞争力的目的。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目880次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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