化讯半导体申请Micro-LED激光巨量转移释放材料相关专利，提高芯片转移效率
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2025-06-05 09:07:27
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金融界2025年6月5日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市化讯半导体材料有限公司申请一项名为“一种Micro-LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120082260A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种Micro‑LED激光巨量转移释放材料及其制备方法和应用。所述Micro‑LED激光巨量转移释放材料包括如下质量百分含量的组分：偶氮苯改性环氧树脂12‑50％、辅料树脂1‑10％、偶联剂0.01‑1％、流平剂0.1‑1.8％、抗氧剂0.01‑1.5％。本发明通过对Micro‑LED激光巨量转移释放材料的具体组成进行设计，以偶氮苯改性环氧树脂为主体树脂，制备得到了性能优异的Micro‑LED激光巨量转移释放材料，使其具有较好的耐高温、耐酸碱的性能，以及较高的附着力，在高温以及酸碱条件下均能够与芯片牢固粘接，实现无缺陷键合，同时可实现芯片的激光释放，以提高芯片的转移效率。
天眼查资料显示，深圳市化讯半导体材料有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1445.12124万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市化讯半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息51条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可20个。
来源：金融界
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