氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/6G通信、雷达、电子战及电力电子等高功率、高频率应用领域的商业化进程。

图片来源：稳懋半导体

近日，稳懋半导体正式推出了其基于SiC衬底的0.120.12μm栅极长度D型GaN HEMT技术，产品型号为NP12-1B。此项技术的推出，旨在满足K波段至V波段频率范围内的高功率应用需求，并强调在通信、雷达和电子战等领域提供卓越的线性度、鲁棒性及高可靠性。

稳懋半导体预计该技术将于2025年第三季度实现量产，这将显著加速高性能射频电路的商业化进程。

NP12-1B工艺的成功，得益于稳懋半导体在多项晶体管改进方面的深厚积累。该工艺专为28V工作电压设计，并宣称在连续波（CW）高压缩场景中仍能提供高击穿电压、增强线性度以及稳定运行的能力。具体而言，其核心技术优势体现在以下几点。

• NP12-1B采用了先进的源极耦合场板设计（Source-Coupled Field Plate），确保典型的栅极-漏极击穿电压达到120V。这一高击穿电压是实现高功率密度输出和保障系统长期可靠性的关键。
• 对于高线性度放大器而言，最大限度地减少信号失真和互调是其核心要求。在频谱密集的现代通信环境中，高线性度对于保持信号完整性至关重要。NP12-1B的设计正是为了满足这一严苛要求，使其成为构建高性能、低失真射频系统的理想选择。
• 稳懋半导体为NP12-1B配备了完整的工艺设计套件（PDK），其中包含精确的大信号和小信号模型，极大地简化了客户的设计流程并缩短了产品开发周期。
• 该工艺还具有增强的防潮选项，可为塑料封装提供出色的防潮性能，从而提升器件在不同环境条件下的耐用性和可靠性。

公开资料显示，稳懋半导体是全球领先的 GaAs 和 GaN 晶圆代工服务提供商，服务于无线、基础设施和网络市场。稳懋半导体公司为其代工合作伙伴提供多样化的产品组合，包括异质结双极晶体管 (HBT)、赝晶高电子迁移率晶体管 (PSU)、氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEV)、PIN 二极管和光学器件技术解决方案，支持 50 MHz 至 170 GHz 及光波应用领域的尖端产品。稳懋半导体公司定制的产品广泛应用于智能手机、移动基础设施、3D 传感、光通信、有线电视 (CATV)、航空航天、国防、卫星和汽车应用等众多领域。

（文/集邦化合物半导体 Emma 整理）

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