上海积塔半导体申请半导体加工方法及半导体结构专利，有利于提升图形转移的精度和效率
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2025-06-07 17:36:13
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体加工方法及半导体结构”的专利，公开号CN120109008A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供了一种半导体加工方法及半导体结构。该半导体加工方法包括：提供衬底，于衬底上形成基底材料层；于基底材料层上形成第一光刻胶层，并对第一光刻胶层进行曝光显影，以形成第一图形化光刻胶层；对第一图形化光刻胶层进行固化处理，以形成第一转移图形；于基底材料层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层至少填充于相邻的第一转移图形之间，并对第二光刻胶层进行曝光显影，以形成第二转移图形；以第一转移图形和第二转移图形作为掩模，对基底材料层进行刻蚀，以将掩模中的图形转移至基底材料层。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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