武汉新创元申请一种IC载板及其制作方法专利，提高IC载板的信号传输速度
创始人
2025-06-07 20:35:51
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种IC载板及其制作方法”的专利，公开号CN120111782A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种IC载板及其制作方法，其中制作方法包括：在覆金属板表面贴附干膜，并进行曝光和显影；蚀刻去除覆金属板上非线路图形区域的金属层，之后褪去线路图形区域表面的干膜，获取由线路图形区域金属层和介质板组成的层状结构；在所述层状结构的表面覆盖阻焊剂，并进行曝光和显影；在所述层状结构的另一侧进行激光钻孔，孔洞的深度使得介质板被贯通，与介质板相接的线路图形区域金属层被暴露；对所述层状结构的阻焊图形所在侧进行处理并植球，在层状结构的另一侧，将金线穿过孔洞连接暴露的线路图形区域金属层。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本28113.5511万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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