无锡博通微电子申请高速纵向GaN开关器件及其制备方法专利，提高器件开关速度
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2025-06-09 18:35:48
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，无锡博通微电子技术有限公司申请一项名为“高速纵向GaN开关器件及其制备方法”的专利，公开号CN120111929A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种高速纵向GaN开关器件及其制备方法。高速纵向GaN开关器件包括纵向自下而上依次设置的n型GaN衬底、n型GaN层、n+GaN层以及本征GaN层；开关器件还包括：与本征GaN层水平设置的AlGaN；开关器件还包括：在n型GaN衬底的底部设置的漏极金属、在本征GaN层以及AlGaN交界处的顶部设置的源极金属、在AlGaN远离本征GaN层的侧部设置的栅极金属；开关器件还包括：设置在栅极金属与AlGaN之间的栅极介质以及设置在栅极金属与n+GaN层之间的绝缘介质。通过屏蔽器件栅极金属和漏极金属之间的寄生电容，从而降低纵向器件固有的弥勒电容，提高器件开关速度。
天眼查资料显示，无锡博通微电子技术有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3388.8855万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡博通微电子技术有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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