北京磐芯申请闪存单元的写入方法专利，减轻陷阱电荷失配效应影响
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2025-05-15 16:38:00
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金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，北京磐芯微电子科技有限公司申请一项名为“闪存单元的写入方法”的专利，公开号 CN 119497383 A，申请日期为 2024 年 11 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种闪存单元的写入方法。该闪存单元包括串联连接的存储晶体管和选通晶体管。根据本公开的写入方法包括将各写入电压施加到闪存单元的各电极以及各晶体管的栅电极，其中该写入方法基于沟道热载流子注入机制，在第一写入步骤中将较低的写入电压施加到被写入的存储晶体管的栅电极，并且在第二写入步骤中将较高的写入电压施加到被写入的存储晶体管的栅电极。根据本公开的闪存单元的写入方法采用双重的沟道热载流子注入机制的写入步骤，较现有的写入方法能够减轻陷阱电荷失配效应(TCME)的影响，从而能够提高耐久性和保持可靠性。
天眼查资料显示，北京磐芯微电子科技有限公司，成立于2021年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本200万人民币，实缴资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，北京磐芯微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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