中科无线半导体申请蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法专利，显著减少位错密度_电子应用

中科无线半导体申请蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法专利，显著减少位错密度

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2025-06-10 08:34:05

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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法”的专利，公开号CN120129272A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供一种蓝宝石氮化镓异质材料外延结构及其外延生长方法，涉及半导体器件技术领域，外延结构包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、GaN通道层以及AlGaN障碍层；蓝宝石衬底为外延结构的基础；蓝宝石衬底上具有纳米图案，纳米图案具体为多个图案单元按照阵列方式组成的图案阵列，每个图案单元上设置有纳米球；AlN缓冲层设置在蓝宝石衬底上；GaN通道层设置在AlN缓冲层上，用于电子传输；AlGaN障碍层设置在GaN通道层上，用于与GaN通道层共同形成二维电子气；本发明可以通过纳米图案引导晶体的生长方向和限制位错的传播，显著减少位错密度，减少晶格失配产生的缺陷，提升GaN外延质量，并提升器件的性能和可靠性。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可8个。

来源：金融界

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