武汉新创元申请IC载板及其制备方法专利，降低镀金渗镀风险
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2025-06-10 09:06:53
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“IC载板及其制备方法”的专利，公开号CN120129168A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请提供一种IC载板及其制备方法，IC载板的制备方法包括：提供线路板，所述线路板包括基板及形成在所述基板表面的线路层，所述线路层包括第一线路；通过离子气相沉积技术在所述线路板上形成电镀引线层，所述电镀引线层覆盖所述线路层；在所述电镀引线层上形成覆盖所述电镀引线层的保护层；图案化所述保护层，得到IC载板中间体，覆盖所述第一线路的部分所述电镀引线层自图案化的保护层中露出；去除覆盖所述第一线路的部分所述电镀引线层，以露出部分所述第一线路；形成覆盖所述第一线路的镀金层；去除图案化后的保护层；及去除所述电镀引线层。
天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本28113.5511万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可74个。
来源：金融界
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