中科无线半导体申请氮化镓基二极管外延结构及其制备方法专利，有效提升二极管光提取效率
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2025-06-11 12:36:46
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基二极管的外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN120129378A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓基二极管的外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：依次叠层设置的第一电极、第一ITO层、p型GaN层、多量子阱、n型GaN层、第二ITO层、全反射层、第二电极和导电支架依次叠层设置；多量子阱包括周期性叠层设置的InGaN量子阱层和GaN势垒层，全反射层上以贯穿方式设置有欧姆接触阵列，其中，欧姆接触阵列中的相邻导体介质之间的间隔距离一致；第二ITO通过导体介质与第二电极连接，在接通第一电极和第二电极的情况下，由p型GaN层和n型GaN层产生的电子和空穴在多量子阱内复合发光。有效提升二极管光提取效率。
天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，专利信息46条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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