华虹宏力申请高压Diode结构及工艺方法专利，保证正反击穿电压相同
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2025-06-11 13:09:26
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“高压Diode结构及工艺方法”的专利，公开号CN120129256A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高压Diode结构，在一侧的注入区与DTI之间额外增加了一个反型注入区，隔断注入区与DTI结构，防止DTI中的随机电位对PN结的影响，在正向和反向应用时，保证正反击穿电压相同。深沟槽隔离结构DTI作为器件之间的隔离，DTI穿过外延层及埋层深入衬底，可以提高器件集成度，减小芯片版图面积。在工艺上仅增加一个注入区，注入工艺共享原有工艺，与原工艺高度契合。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目892次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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