长光华芯申请半导体发光结构及其制备方法专利，有效减少热透镜效应_电子应用

长光华芯申请半导体发光结构及其制备方法专利，有效减少热透镜效应

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2025-06-11 20:36:46

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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司申请一项名为“半导体发光结构及其制备方法”的专利，公开号CN120127504A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请公开了半导体发光结构及其制备方法，其中半导体发光结构包括：衬底层；设置在衬底层一侧的有源层；设置在有源层背离衬底层一侧的折射率调制层；折射率调制层为亚波长光栅，亚波长光栅的周期相同，亚波长光栅的占空比不完全相同，亚波长光栅的高度与折射率调制层的厚度相等，亚波长光栅的凹槽内填充有第一材料，第一材料的折射率与亚波长光栅的材料的折射率不同。

天眼查资料显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17627.9943万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯光电技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息274条，此外企业还拥有行政许可15个。

苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，成立于2018年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20500万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目23次，专利信息206条，此外企业还拥有行政许可37个。

来源：金融界

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