瑞昱半导体申请低压降稳压器及其操作方法专利，具有优化多阶段配置切换的效果
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2025-05-15 18:33:44
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金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，瑞昱半导体股份有限公司申请一项名为“低压降稳压器及其操作方法”的专利，公开号CN119987471A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供低压降(简称LDO)稳压器及其操作方法。该LDO稳压器可包含参考电压产生电路、运算放大器、晶体管以及多阶段配置切换控制电路。该操作方法可包含：进行第一配置操作以启用对应于第一阶段的第一专用电流路径，以容许使用于LDO稳压模式中的目标参考电压在进行第一配置操作后达到第一预定范围；进行第二配置操作以启用对应于第二阶段的第二专用电流路径，以容许目标参考电压在进行第二配置操作后达到第二预定范围；以及进行第三配置操作，以容许目标参考电压在进行第三配置操作后被使用作为在LDO稳压模式中输入至运算放大器的参考电压。
来源：金融界
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