华灿光电申请增加Mg活化的发光二极管及其制备方法专利，增加p层中Mg活化
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2025-06-13 09:40:28
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“增加Mg活化的发光二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120152454A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本公开提供了一种增加Mg活化的发光二极管及其制备方法，属于光电子技术领域领域。该发光二极管包括依次叠叠的n层层、多量子阱层和p型层，所述p层层包括交替叠叠的多个BGaN层和多个AlGaN层，所述BGaN层和所述AlGaN层均为Mg掺杂。本公开能增加p层层中Mg的活化，提升发光效率。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目42次，专利信息977条，此外企业还拥有行政许可38个。

来源：金融界

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