华灿光电申请增加Mg活化的发光二极管及其制备方法专利,增加p层中Mg活化
创始人
2025-06-13 09:40:28
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金融界2025年6月13日消息,国家知识产权局信息显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司申请一项名为“增加Mg活化的发光二极管及其制备方法”的专利,公开号CN120152454A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本公开提供了一种增加Mg活化的发光二极管及其制备方法,属于光电子技术领域领域。该发光二极管包括依次叠叠的n层层、多量子阱层和p型层,所述p层层包括交替叠叠的多个BGaN层和多个AlGaN层,所述BGaN层和所述AlGaN层均为Mg掺杂。本公开能增加p层层中Mg的活化,提升发光效率。

天眼查资料显示,京东方华灿光电(浙江)有限公司,成立于2014年,位于金华市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方华灿光电(浙江)有限公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目42次,专利信息977条,此外企业还拥有行政许可38个。

来源:金融界

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