金融界2025年6月14日消息,国家知识产权局信息显示,力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“具有环形流体沟槽的离子感测场效晶体管结构”的专利,公开号CN120142378A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明提出了一种具有环形流体沟槽的离子感测场效晶体管结构,包含多个场效晶体管位于一半导体基底上、一介电层位于该半导体基底上、一半导体后段互连结构位于该介电层中并与该些场效晶体管电连接、一环形流体沟槽位于该介电层中且围绕一周边电路区,其中该环形流体沟槽的底部与该半导体后段互连结构中的一金属层连接,且该些场效晶体管沿着该周边电路区的周围分布、以及一感测膜位于该环形流体沟槽的表面上并与该金属层直接接触。
来源:金融界