格科半导体申请背照式图像传感器栅格结构的形成方法专利，解决金属栅格形貌异常问题
创始人
2025-06-14 12:38:13
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，格科半导体（上海）有限公司申请一项名为“背照式图像传感器栅格结构的形成方法”的专利，公开号CN120152405A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种背照式图像传感器的栅格结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底背面的金属层上形成硬掩膜层和图形化的平坦化层；在所述图形化的平坦化层表面形成介质保护层，以减少后续刻蚀工艺中所述平坦化层发生倾斜；刻蚀形成图形化的硬掩膜层，暴露出所述金属层；去除所述平坦化层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属层以形成所述栅格结构。本发明用于解决现有技术中平坦化层倾斜导致硬掩模层形貌不对称，进而导致金属栅格形貌异常的问题。
天眼查资料显示，格科半导体（上海）有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本450000万人民币。通过天眼查大数据分析，格科半导体（上海）有限公司参与招投标项目21次，专利信息94条，此外企业还拥有行政许可86个。
来源：金融界
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