上海积塔半导体申请一种SRAM器件的制备方法及栅极结构专利，改善层间介质层的缝隙填充
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2025-06-14 17:13:03
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“一种SRAM器件的制备方法及栅极结构”的专利，公开号CN120152265A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种SRAM器件的制备方法及栅极，栅极制备方法包括：提供衬底，并于衬底的一面形成多晶硅掺杂层，于多晶硅掺杂层上形成未掺杂的多晶硅层，对未掺杂的多晶硅层及多晶硅掺杂层进行刻蚀，得到间隔设置的第一栅极及第二栅极，其中，未掺杂的多晶硅层对应的刻蚀速度大于多晶硅掺杂层对应的刻蚀速度，第一栅极的顶部宽度小于第一栅极的底部宽度，第二栅极的顶部宽度小于第二栅极的底部宽度。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1831次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1164条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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