扬杰科技获得实用新型专利授权：“减小开关损耗的SiC场效应晶体管”
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2025-06-17 03:36:27
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“减小开关损耗的SiC场效应晶体管”，专利申请号为CN202422072742.7，授权日为2025年6月17日。
专利摘要：减小开关损耗的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。在平面栅SiC MOSFET器件中，栅源电容Cgs的其中一个组成部分是栅电极‑隔离介质层‑源电极三者组成的Cgs，而此处的Cgs大小取决于隔离介质层厚度，栅电极与源电极的耦合面积。本实用新型采用独特的隔离介质层布局，将SiC MOSFET器件中栅电极与源电极的耦合面积大幅降低，从而降低了栅源电容Cgs，提高器件的开关特性，降低开关损耗。
今年以来扬杰科技新获得专利授权58个，较去年同期增加了48.72%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了4.23亿元，同比增19%。
数据来源：天眼查APP
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