增芯科技申请半导体结构及其制备方法专利 可提升器件可靠性
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2025-06-17 08:37:08
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120166747A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一阱，包括第一主阱区和多个自第一主阱区向外延伸的第一叉指区，第一阱内的离子均匀分布；第二阱，包括第二主阱区和多个自第二主阱区向外延伸的第二叉指区，第二阱内的离子均匀分布且与第一阱内的离子的导电类型相反，第二叉指区朝向第一主体区延伸，第一叉指区朝向第二主体区延伸，各第一叉指区与各第二叉指区之间相互穿插设置；漏区，位于第一阱内；源区，位于第二阱内，且与第一叉指区电性接触；栅区，位于第一阱和第二阱的上方。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目36次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息99条，此外企业还拥有行政许可167个。
来源：金融界
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