增芯科技申请半导体结构及其制备方法专利 可提升器件可靠性
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2025-06-17 08:37:08
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金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,广州增芯科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法”的专利,公开号CN120166747A,申请日期为2025年03月。

专利摘要显示,本申请提供一种半导体结构及其制备方法,半导体结构包括:第一阱,包括第一主阱区和多个自第一主阱区向外延伸的第一叉指区,第一阱内的离子均匀分布;第二阱,包括第二主阱区和多个自第二主阱区向外延伸的第二叉指区,第二阱内的离子均匀分布且与第一阱内的离子的导电类型相反,第二叉指区朝向第一主体区延伸,第一叉指区朝向第二主体区延伸,各第一叉指区与各第二叉指区之间相互穿插设置;漏区,位于第一阱内;源区,位于第二阱内,且与第一叉指区电性接触;栅区,位于第一阱和第二阱的上方。

天眼查资料显示,广州增芯科技有限公司,成立于2021年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析,广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目36次,财产线索方面有商标信息53条,专利信息99条,此外企业还拥有行政许可167个。

来源:金融界

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