株洲中车时代半导体申请一种半导体外延结构形成方法及半导体器件专利，可避免外延工艺对光刻标记的影响
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2025-06-17 16:08:30
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构形成方法及半导体器件”的专利，公开号CN120164793A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体外延结构形成方法及半导体器件，半导体外延结构形成方法包括以下步骤：在衬底的背面进行光刻、刻蚀，形成光刻标记；在衬底的正面外延第一层第一型掺杂外延层，在第一层第一型掺杂外延层的表面旋涂光刻胶；或者在衬底的正面生长氧化层作为硬掩膜，随后在氧化层的表面旋涂光刻胶；将衬底正面的曝光标记对准背面的光刻标记，完成该层的曝光，对于多层外延工艺方案，以本发明的方法进行每一层外延层的对准，可避免外延工艺对光刻标记的影响，无需在外延后仍进行光刻标记的刻蚀，减少了大量的光刻、刻蚀工艺；同时，若每一层都与同一个对准标记进行对准，可以避免层与层之间的曝光误差累积。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2417次，专利信息603条，此外企业还拥有行政许可62个。
来源：金融界
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