金融界2025年6月17日消息,国家知识产权局信息显示,株洲中车时代半导体有限公司申请一项名为“一种半导体外延结构形成方法及半导体器件”的专利,公开号CN120164793A,申请日期为2023年12月。
专利摘要显示,本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种半导体外延结构形成方法及半导体器件,半导体外延结构形成方法包括以下步骤:在衬底的背面进行光刻、刻蚀,形成光刻标记;在衬底的正面外延第一层第一型掺杂外延层,在第一层第一型掺杂外延层的表面旋涂光刻胶;或者在衬底的正面生长氧化层作为硬掩膜,随后在氧化层的表面旋涂光刻胶;将衬底正面的曝光标记对准背面的光刻标记,完成该层的曝光,对于多层外延工艺方案,以本发明的方法进行每一层外延层的对准,可避免外延工艺对光刻标记的影响,无需在外延后仍进行光刻标记的刻蚀,减少了大量的光刻、刻蚀工艺;同时,若每一层都与同一个对准标记进行对准,可以避免层与层之间的曝光误差累积。
天眼查资料显示,株洲中车时代半导体有限公司,成立于2019年,位于株洲市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析,株洲中车时代半导体有限公司共对外投资了4家企业,参与招投标项目2417次,专利信息603条,此外企业还拥有行政许可62个。
来源:金融界