苏州晶湛半导体申请一种半导体结构及其制备方法专利，降低了重掺杂材料层与沟道结构侧壁的接触电阻
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2025-06-18 12:38:30
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，苏州晶湛半导体有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN120166737A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，沟道结构包括依次形成于衬底上的沟道层和势垒层，沟道结构包括栅极区域，以及位于栅极区域两侧的源极区域与漏极区域；位于源极区域和漏极区域内的第一凹槽，第一凹槽至少贯穿势垒层；插入层，设置于势垒层内；位于源极区域及漏极区域端的插入层的侧壁，相对于势垒层的侧壁内缩预设距离以形成内陷沟槽，内陷沟槽与第一凹槽相通；重掺杂材料层，重掺杂材料层填充第一凹槽以及内陷沟槽。
天眼查资料显示，苏州晶湛半导体有限公司，成立于2012年，位于苏州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8212.5556万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州晶湛半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息73条，专利信息298条，此外企业还拥有行政许可24个。
来源：金融界
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