成都紫光半导体申请改善铜填孔方法专利,降低缺陷和铜空洞产生的风险
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2025-06-18 20:36:09
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金融界2025年6月18日消息,国家知识产权局信息显示,成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法”的专利,公开号CN120164848A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,本公开涉及一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法,该方法通过使待镀铜半导体元件经一次镀铜处理后,进行化学机械研磨,得到待填孔半导体元件,能够将镀铜层中产生的缺陷和铜空洞暴露在外;然后对待填孔半导体元件进行二次镀铜处理,能够使暴露在外的缺陷和铜空洞在二次镀铜处理的作用下填满,降低缺陷和铜空洞产生的风险,进而能够提升得到的铜填孔半导体元件的稳定性以及良品率。

天眼查资料显示,成都紫光半导体科技有限公司,成立于2022年,位于成都市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析,成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。

来源:金融界

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