成都紫光半导体申请改善铜填孔方法专利，降低缺陷和铜空洞产生的风险
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2025-06-18 20:36:09
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法”的专利，公开号CN120164848A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开涉及一种在高深宽比状况下改善铜填孔的方法，该方法通过使待镀铜半导体元件经一次镀铜处理后，进行化学机械研磨，得到待填孔半导体元件，能够将镀铜层中产生的缺陷和铜空洞暴露在外；然后对待填孔半导体元件进行二次镀铜处理，能够使暴露在外的缺陷和铜空洞在二次镀铜处理的作用下填满，降低缺陷和铜空洞产生的风险，进而能够提升得到的铜填孔半导体元件的稳定性以及良品率。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息50条。
来源：金融界
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