长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利,避免去除保护层时损伤半导体本体第一表面
创始人
2025-05-16 13:34:09
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金融界2025年5月16日消息,国家知识产权局信息显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利,公开号CN119993825A,申请日期为2025年4月。

专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆,半导体器件的制备方法包括:提供半导体本体;对半导体本体的第一表面进行离子注入;在半导体本体的第一表面形成保护层;对半导体本体进行退火处理;对保护层和半导体本体的第一表面进行处理,将保护层去除以及将部分半导体本体转化为牺牲层;去除牺牲层。本发明能够避免去除保护层时对半导体本体的第一表面的损伤,工艺简单、成本低且可靠性高。

天眼查资料显示,长飞先进半导体(武汉)有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析,长飞先进半导体(武汉)有限公司参与招投标项目22次,专利信息58条,此外企业还拥有行政许可15个。

来源:金融界

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