长飞先进半导体申请半导体器件及制备方法等专利，避免去除保护层时损伤半导体本体第一表面
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2025-05-16 13:34:09
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金融界2025年5月16日消息，国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆”的专利，公开号CN119993825A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，半导体器件的制备方法包括：提供半导体本体；对半导体本体的第一表面进行离子注入；在半导体本体的第一表面形成保护层；对半导体本体进行退火处理；对保护层和半导体本体的第一表面进行处理，将保护层去除以及将部分半导体本体转化为牺牲层；去除牺牲层。本发明能够避免去除保护层时对半导体本体的第一表面的损伤，工艺简单、成本低且可靠性高。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目22次，专利信息58条，此外企业还拥有行政许可15个。
来源：金融界
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