爱思开海力士申请半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法专利，本文提供了一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法
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2025-06-21 10:38:20
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法”的专利，公开号CN120187023A，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本文提供了一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括第一子层叠体的多个第一导电层、设置在第一子层叠体上方的第二子层叠体的多个第二导电层以及接触多个第二导电层当中的对应第二导电层的第一栅极接触插塞。第一栅极接触插塞包括接触对应第二导电层的第一接触部分、穿透第一子层叠体的第一部分以及从第一部分朝着第一接触部分延伸的第二部分。
来源：金融界
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