长鑫科技申请阶梯结构及其制造方法、半导体结构专利，缩小阶梯结构整体所占用的水平面积_电子应用

长鑫科技申请阶梯结构及其制造方法、半导体结构专利，缩小阶梯结构整体所占用的水平面积

创始人

2025-06-23 11:09:33

0次

金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“阶梯结构及其制造方法、半导体结构”的专利，公开号CN120184140A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种阶梯结构及其制造方法、半导体结构，阶梯结构包括：沿第一方向间隔排布的多条导电层，导电层包括沿第二方向间隔排布至少两条子导电层，导电层沿第三方向延伸；沿第二方向间隔排布的多个台阶结构，沿第一方向间隔排布的一列子导电层至少与一台阶结构接触连接；其中，每一台阶结构包括多个相互电绝缘的导电柱，一导电柱和一子导电层接触连接，与一子导电层接触连接的导电柱与其他子导电层之间均电绝缘；且沿第一方向间隔排布的一列导电层中，导电层与导电柱一一接触连接。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可33个。

来源：金融界

企业制造显示导电间隔信息半导体阶梯结构专利电层导电层导电柱

上一篇：港股异动丨半导体股拉升据悉美政府拟取消三星等在中国使用美国技术豁免

下一篇：中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G 芯片、功率半导体热管理提供技术支撑

长鑫科技申请阶梯结构及其制造方法、半导体结构专利，缩小阶梯结构整体所占用的水平面积

相关内容

热门资讯