旺宏电子申请存储器结构及其制造与操作方法专利，提供一种新的存储器结构相关方法
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2025-06-24 14:06:32
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器结构、其制造方法及其操作方法”的专利，公开号CN120201718A，申请日期为2024年01月。
专利摘要显示，本公开提供了一种存储器结构、存储器结构的制造方法和存储器结构的操作方法。存储器结构包括多层绝缘层、多层栅极层、第一掺杂层、多个通道层、柱状通道、多个第二掺杂层、第一介电层、多个第二介电层、第三介电层及多个第四介电层。第一掺杂层及柱状通道贯穿交替堆叠的绝缘层及栅极层，通道层连接至第一掺杂层，其中通道层及绝缘层交替堆叠，第二掺杂层环绕柱状通道且连接至通道层。第一介电层位于第一掺杂层与栅极层之间，第二介电层位于第二掺杂层与栅极层之间，第三介电层位于柱状通道与第二掺杂层之间，第四介电层位于通道层与栅极层之间。
来源：金融界
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