恩智浦申请具有选择性背侧电力和地分配以及最大面积去耦电容器的半导体电路专利，在半导体晶片上形成背侧电力和地分配网络
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2025-06-25 00:09:54
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金融界2025年6月24日消息，国家知识产权局信息显示，恩智浦有限公司申请一项名为“具有选择性背侧电力和地分配以及最大面积去耦电容器的半导体电路”的专利，公开号CN120201767A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开涉及具有选择性背侧电力和地分配以及最大面积去耦电容器的半导体电路。通过以下方式在半导体晶片上形成背侧电力和地分配网络：在半导体衬底层的背侧上设置去耦电容器；穿过所述去耦电容器和所述半导体衬底层的所述背侧选择性地蚀刻TSV开口，以接触集成装置连接特征；接着在所述TSV开口中形成地TSV导体，所述地TSV导体在第一电容器板与形成于所述半导体衬底层中的第一集成装置连接特征之间提供直接电连接；以及还形成电力TSV导体，所述电力TSV导体在第二电容器板与形成于所述半导体衬底层中的第二集成装置连接特征之间提供直接电连接，其中所述地TSV导体不直接电连接到所述第二电容器板，并且其中所述电力TSV导体不直接电连接到所述第一电容器板。

来源：金融界

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